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BZX84C3V9LT116

更新时间： 2024-11-28 21:19:51

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罗姆 - ROHM		测试光电二极管
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6页	860K
描述
Zener Diode,

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BZX84C3V9LT116 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	7.79	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.25 W	标称参考电压：	3.9 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	5.13%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZX84C3V9LT116 数据手册

BZX84C3V9L

ꢀ Zener Diode

Data sheet

●Outline

P_D

250

●Feature

●Inner Circuit

High reliability

Small mold type

●Application

●Packaging Specification

Packing

Embossed Tape

Voltage regulation

Reel Size(mm)

180

Taping Width(mm)

Basic Ordering Unit(pcs)

Taping Code

3000

T116

D3H

●Structure

Silicon Epitaxial Planar

Marking

(T =25℃)

●Absolute Maximum Ratin

Parameter

Power dissipation

Symbol

Limits

250

150

Unit

℃

P_D

T_j

T_stg

Junction temperature

Storage temperature

-55～150

℃

www.rohm.com

1/3

2016/5/31_Rev.001

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