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BZX84C33VLT116

更新时间: 2024-11-10 14:50:15
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罗姆 - ROHM 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 860K
描述
Zener Diode,

BZX84C33VLT116 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:7.78
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.25 W
标称参考电压:33 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:6.06%工作测试电流:2 mA
Base Number Matches:1

BZX84C33VLT116 数据手册

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BZX84C33VL  
Zener Diode  
Data sheet  
Outline  
PD  
250  
mW  
Feature  
Inner Circuit  
High reliability  
Small mold type  
Application  
Packaging Specification  
Packing  
Embossed Tape  
Voltage regulation  
Reel Size(mm)  
180  
8
Taping Width(mm)  
Basic Ordering Unit(pcs)  
Taping Code  
3000  
T116  
D5F  
Structure  
Silicon Epitaxial Planar  
Marking  
(T =25)  
Absolute Maximum Ratin  
a
Parameter  
Power dissipation  
Symbol  
Limits  
250  
150  
Unit  
mW  
PD  
Tj  
Tstg  
Junction temperature  
Storage temperature  
-55150  
www.rohm.com  
1/3  
c 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016/5/31_Rev.001  

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