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BZX84C33VLY

更新时间: 2024-11-09 11:14:19
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罗姆 - ROHM 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
7页 1563K
描述
BZX84C33VLY是适用于恒定电压控制用途的齐纳二极管。采用非常普遍的SOT-23封装,容易进行设计。

BZX84C33VLY 数据手册

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BZX84C33VLY  
Zener Diode  
Data sheet  
ꢀ ꢀ ꢀ  
Inner Circuit  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
ꢀꢀꢀ  
P
250  
mW  
D
ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
Small mold type  
Application  
Packaging Specifications  
Packing  
Embossed Tape  
Voltage regulation  
180  
8
3000  
T116  
D6F  
Reel Size(mm)  
Taping Width(mm)  
Quantity(pcs)  
Structure  
Silicon Epitaxial Planar  
Taping Code  
Marking  
(T = 25)  
Absolute Maximum Ratings  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
a
Parameter  
Symbol  
Condition  
Limits  
250  
2.0  
Unit  
mW  
mW/°C  
P
D
Power dissipation  
on Glass-epoxy substrate  
T
Junction temperature  
Storage temperature  
-
-
150  
-65 150ꢀ  
j
T
stg  
(T = 25)  
Characteristic  
a
Parameter  
Zener Voltage  
Symbol  
Conditions  
I = 2mA  
Z
V = 23.0V  
R
I = 2mA  
Z
Min. Typ. Max. Unit  
V
31.00  
-
-
-
-
35.00  
V
μA  
Ω
Z
I
R
Z
Z
Reverse Current  
Dynamic Impedance  
-
-
0.1  
80  
γ
Z
I = 2mA  
Z
Temperature Coefficient  
25.8  
31.1 mV/  
Zener voltage (V ) is measured byapplying current with 40ms pulse.  
Z
Dynamic resistance (Z ) is measured by applying small current (AC) and  
Z
specified current (I ) simultaneously.  
Z
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
© 2020 ROHMCo., Ltd. All rights reserved.  
1/4  
2020/05/14_Rev.002  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZX84C33VLYFH ROHM

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BZX84C33VLYFH是适用于恒定电压控制用途的齐纳二极管。采用非常普遍的SOT-23
BZX84C33V-T RECTRON

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Zener Diode,
BZX84C33W LGE

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Zener Diode
BZX84C33W YEASHIN

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ZENER DIODE
BZX84C33W WEITRON

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BZX84C33W TYSEMI

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Planar Die Construction, 200mW Power Dissipation
BZX84C33W RECTRON

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SURFACE MOUNT ZENER DIODE VOLTAGE RANGE 2.4 to 39Volts POWER RATING 200 mWatts
BZX84C33W SECOS

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BZX84C33W WTE

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SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
BZX84C33W DIODES

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200mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE