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BZX84C12VLFHT116

更新时间： 2024-11-29 14:50:31

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	850K
描述
Zener Diode,

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BZX84C12VLFHT116 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	7.77
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	25 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.25 W	参考标准：	AEC-Q101
标称参考电压：	12 V	最大反向电流：	0.1 µA
反向测试电压：	8 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	电压温度Coeff-Max：	9.8 mV/ °C
最大电压容差：	5.39%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZX84C12VLFHT116 数据手册

BZX84C12VLFH

ꢀ Zener Diode (AEC-Q101 qualified)

Data sheet

●Outline

P_D

250

●Feature

●Inner Circuit

High reliability

Small mold type

●Application

●Packaging Specification

Packing

Embossed Tape

Voltage regulation

Reel Size(mm)

180

Taping Width(mm)

Basic Ordering Unit(pcs)

Taping Code

3000

T116

D3V

●Structure

Silicon Epitaxial Planar

Marking

(T =25℃)

●Absolute Maximum Ratin

Parameter

Power dissipation

Symbol

Limits

250

150

Unit

℃

P_D

T_j

T_stg

Junction temperature

Storage temperature

-55～150

℃

www.rohm.com

1/3

2016/5/31_Rev.001

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