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BZX84C12TR13

更新时间: 2024-01-09 12:38:40
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CENTRAL 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional,

BZX84C12TR13 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.07
其他特性:PROELECTRON SPECIFICATION配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:25 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3膝阻抗最大值:150 Ω
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:12 V最大反向电流:0.1 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10电压温度Coeff-Max:8.4 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZX84C12TR13 数据手册

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