5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.11 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 25 Ω | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.3 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 标称参考电压： | 12 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 最大电压容差： | 2% | 工作测试电流： | 5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZX84B12-HE3-18 | VISHAY |
获取价格 |
Zener Diode, 12V V(Z), 2%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE- |
|
| BZX84B12L | LEIDITECH |
获取价格 |
Low Capacitance TVS Diode Array |
|
| BZX84B12LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BZX84B12LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Zener Voltage Regulators |
|
| BZX84B12LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
DIODE 12 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, PLASTIC PA |
|
| BZX84B12LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
12V, 0.225W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, LEAD FREE, PLASTIC |
|
| BZX84B12Q | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| BZX84-B12-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
Voltage regulator diodesProduction |
|
| BZX84B12-Q1 | ANBON |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| BZX84B12-T | MCC |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
