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BZX585-C24

更新时间： 2024-11-12 11:10:07

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安世 - NEXPERIA		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
13页	301K
描述
Voltage regulator diodesProduction

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BZX585-C24 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.6	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.3 W	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
标称参考电压：	24 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	5 mA

BZX585-C24 数据手册

BZX585 series

Voltage regulator diodes

Rev. 6 — 4 December 2020

Product data sheet

1. General description

General-purpose Zener diodes in an SOD523 (SC-79) ultra small flat lead Surface-Mounted Device

(SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Non-repetitive peak reverse power dissipation: ≤ 40 W

•

Total power dissipation: ≤ 300 mW

Wide working voltage range: nominal 2.4 V to 75 V (E24 range)

Two tolerance series: ± 2 % and ± 5 %

Low differential resistance

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

General regulation functions

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_F

Parameter

Conditions

Min

[1] -

Typ

Max

1.1

Unit

forward voltage

I_F= 100 mA

P_ZSM

non-repetitive peak reverse power

dissipation

[2] -

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02

[2] t_p= 100 µs; square wave; T_j= 25 °C before surge

5. Pinning information

Table 2. Pinning

Symbol

Description

cathode[1]

anode

Simplified outline

Graphic symbol

006aaa152

[1] The marking bar indicates the cathode.

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