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BZX384-B75

更新时间: 2024-11-08 23:16:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 72K
描述
Voltage regulator diodes

BZX384-B75 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-76
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.42
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:500 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:75 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30最大电压容差:2%
工作测试电流:2 mABase Number Matches:1

BZX384-B75 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZX384 series  
Voltage regulator diodes  
Product specification  
2004 Mar 22  
Supersedes data of 2003 Apr 01  

BZX384-B75 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BZX384-B75,115 NXP

完全替代

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