BZW06-5V8 ... BZW06-376B
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
PPPM = 600W
PM(AV) = 5.0 W
Tjmax = 175°C
VWM = 5.0 ... 376 V
VBR = 6.8 ... 440 V
Transient Voltage Suppressor Diodes
Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2018-10-26
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
~DO-15
~DO-204AC
Free-wheeling diodes
Freilauf-Dioden
Commercial grade
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Ø 3±0.05
Features
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
600 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 600 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
R
Konform zu RoHS, REACH,
Pb
V
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet in Ammo-Pack
Gewicht ca.
Mechanical Data 1)
Ø 0.8±0.05
Taped in ammo pack
Weight approx.
4000
0.4 g
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL N/A
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
PPPM
PM(AV)
IFSM
600 W 3)
5 W 4)
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb
TA = 75°C
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
60 Hz (8.3 ms)
100 A 5)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Characteristics
Kennwerte
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
IF = 25 A
Tj = 25°C
VBR ≤ 200 V
VBR > 200 V
< 3.0 V 5)
< 6.5 V 5)
VF
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
RthL
45 K/W 4)
15 K/W
Typical thermal resistance junction to lead
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht
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Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2
3
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
4
5
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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