BZW04-5V8

更新时间： 2024-11-03 00:01:23

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
7页	88K
描述
TRANSIL

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZW04-5V8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-15	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	11 weeks	风险等级：	0.8
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	6.45 V
击穿电压标称值：	6.8 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	13.4 V	配置：	SINGLE
最小二极管电容：	3500 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-15
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.7 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5.8 V
最大反向电流：	1000 µA	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BZW04-5V8 数据手册

BZW04-5V8/376

BZW04-5V8B/376B

TRANSIL^TM

FEATURES

■

PEAK PULSE POWER : 400 W (10/1000µs)

■

STAND-OFF VOLTAGE RANGE :

From 5.8V to 376 V

■

UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES

LOW CLAMPING FACTOR

FAST RESPONSE TIME

UL RECOGNIZED

DESCRIPTION

Transil diodes provide high overvoltage protection

by clamping action. Their instantaneous response

to transient overvoltages makes them particu-

larly suited to protect voltage sensitive devices

such as MOS Technology and low voltage sup-

plied IC’s.

DO-15

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25°C)

Symbol

P_PP

Parameter

Peak pulse power dissipation (see note 1)

Power dissipation on infinite heatsink

Value

400

1.7

Unit

Tj initial = Tamb

_amb= 75°C

I_FSM

Non repetitive surge peak forward current

for unidirectional types

tp = 10ms

Tj initial = T_amb

T_stg

T_j

Storage temperature range

Maximum junction temperature

- 65 to + 175

175

°C

T_L

Maximum lead temperature for soldering during 10s a 5mm

from case.

230

°C

Note 1 : For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.

THERMAL RESISTANCES

Symbol

R_{th (j-l)}

Parameter

Value

Unit

°C/W

Junction to leads

Junction to ambient on printed circuit.

R_{th (j-a)}

L_lead= 10 mm

100

February 2003- Ed : 3A

1/6

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

BZW04-5V8 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SM6T10A	STMICROELECTRONICS	功能相似	TRANSILTM
SA5.0A	LITTELFUSE	功能相似	Silicon Avalanche Diodes - 500 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressors
SA6.0A	LITTELFUSE	功能相似	Silicon Avalanche Diodes - 500 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressors

与BZW04-5V8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZW04-5V8 thru BZW04-376	VISHAY	获取价格	TransZorb? Transient Voltage Suppressors
BZW04-5V8(6.8V)	ETC	获取价格	Transient Voltage Suppressor (TVS)
BZW04-5V8/100	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-5V8/23	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-5V8/376	ETC	获取价格	TRANSIL
BZW04-5V8/4E	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-5V8/4F	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-5V8/4G	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-5V8/4H	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-5V8/51	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5.8V V(RWM), Unidirectional,

与BZW04-5V8相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

12
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

5
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

28
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

27

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZW04-5V8

BZW04-5V8 技术参数

BZW04-5V8 数据手册

BZW04-5V8 替代型号

与BZW04-5V8相关器件

与BZW04-5V8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZW04-5V8

BZW04-5V8 技术参数

BZW04-5V8 数据手册

BZW04-5V8 替代型号

与BZW04-5V8相关器件

与BZW04-5V8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？