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BZW03C100

更新时间: 2024-11-19 20:18:31
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TEMIC /
页数 文件大小 规格书
5页 69K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,

BZW03C100 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.79Is Samacsys:N
击穿电压标称值:139 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.85 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:10 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BZW03C100 数据手册

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BZW03C...  
Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors  
Features  
Glass passivated junction  
Hermetically sealed package  
Clamping time in picoseconds  
Applications  
Voltage regulators and transient suppression circuits  
94 9588  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol  
Value  
Unit  
W
l=10mm, T =25 C  
P
V
6.0  
1.85  
20  
Power dissipation  
L
T
=45 C  
P
V
W
amb  
Repetitive peak reverse power  
dissipation  
P
ZRM  
W
Non repetitive peak surge power  
dissipation  
t =100 s, T =25 C  
P
ZSM  
1000  
W
p
j
Junction temperature  
T
175  
C
C
j
Storage temperature range  
T
stg  
–65...+175  
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
K/W  
K/W  
l=25mm, T =constant  
R
thJA  
Junction ambient  
L
on PC board with spacing 37.5mm  
R
thJA  
70  
Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Forward voltage  
Test Conditions  
I =1A  
Type  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
1.2  
Unit  
V
V
F
F
TELEFUNKEN Semiconductors  
1 (5)  
Rev. A1, 12-Dec-94  

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