生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.79 | Is Samacsys: | N |
击穿电压标称值: | 139 V | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 1000 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 1.85 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大反向电流: | 10 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BZW03-C100 | NXP |
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Voltage regulator diodes | |
BZW03-C100 | PHILIPS |
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Zener Diode, 100V V(Z), 5%, 6W, | |
BZW03-C100/20112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C100/20113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C100/20133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C100/21112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C100/21113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C100/21133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C100/22112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C100/22113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |