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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.88 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 90 Ω |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大功率耗散： | 6 W |
| 标称参考电压： | 100 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 12 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZW03-C100/20112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/20113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/20133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/21112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/21113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/21133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/22112 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/22113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/22133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/30112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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