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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 94 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 139 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1000 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 10 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZW03-C100/22113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/22133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/30112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/30113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/30133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/31112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/31113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/31133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/33112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/33113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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