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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | E-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.88 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 94 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 139 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | 最大动态阻抗： | 90 Ω |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 100 V | 最大反向电流： | 10 µA |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 12 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZW03-C100/20112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/20113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/20133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/21112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/21113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/21133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/22112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/22113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/22133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZW03-C100/30112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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