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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DO-4 | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.32 | 其他特性： | CAPACITANCE IS CAPTURED FROM THE GRAPH |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 10 Ω | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC50005-010 |
| 标称参考电压： | 11 V | 最大反向电流： | 0.2 µA |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 9.3 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 20 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N4741A-TR | VISHAY |
功能相似  |
Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 1W, |
|
| BZX85C13-TAP | VISHAY |
功能相似 |
Silicon Epitaxial Planar ZâDiodes |
|
| BZX85C11 | FAIRCHILD |
功能相似 |
Zeners |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZV85-C11,133 | NXP |
获取价格 |
BZV85 series - Voltage regulator diodes DO-4 2-Pin |
|
| BZV85C110 | PINGWEI |
获取价格 |
SILICON PLANAR ZENER DIODES |
|
| BZV85C110 | GOOD-ARK |
获取价格 |
SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES |
|
| BZV85-C11153 | NXP |
获取价格 |
11V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
|
| BZV85-C11T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 11 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, ROHS COMPLIANT, H |
|
| BZV85C12 | CDIL |
获取价格 |
Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41, |
|
| BZV85C12 | NXP |
获取价格 |
12V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
|
| BZV85C12 | GOOD-ARK |
获取价格 |
SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES |
|
| BZV85C12 | PINGWEI |
获取价格 |
SILICON PLANAR ZENER DIODES |
|
| BZV85C12 | SWST |
获取价格 |
稳压二极管 |
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