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BZV55B4V3

更新时间: 2024-01-18 13:03:32
品牌 Logo 应用领域
国巨 - YAGEO 测试二极管
页数 文件大小 规格书
8页 456K
描述
Zener Diode, 4.3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BZV55B4V3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LELF-R2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.55外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:4.3 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
最大电压容差:2.09%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZV55B4V3 数据手册

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