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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.56 |
| 其他特性： | HIGH SURGE CAPABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 30 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 2% | 工作测试电流： | 2 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZV55-B30 | GOOD-ARK |
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Zener Diodes |
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| BZV55-B30 | TYSEMI |
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Silicon Planar Power Zener Diodes |
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| BZV55-B30 | NXP |
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Voltage regulator diodes |
|
| BZV55-B30 | VISHAY |
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ZENER DIODES |
|
| BZV55-B30 | NEXPERIA |
获取价格 |
Voltage regulator diodesProduction |
|
| BZV55-B30 | KEXIN |
获取价格 |
Zener Diodes |
|
| BZV55-B30,115 | ETC |
获取价格 |
DIODE ZENER 30V 500MW SOD80C |
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| BZV55-B30,135 | NXP |
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30V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE |
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| BZV55-B30112 | NXP |
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30V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
|
| BZV55-B30135 | NXP |
获取价格 |
30V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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