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BZV55-B4V7

更新时间: 2024-02-20 21:18:10
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TYSEMI 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
7页 326K
描述
Silicon Planar Power Zener Diodes

BZV55-B4V7 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.82
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:80 ΩJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.7 V
最大反向电流:3 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin (Sn)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:0.2 mV/ °C最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mA

BZV55-B4V7 数据手册

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ETE SEMICONDUCTORS  
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
Product specification  
BZV55 series  
DATA SHEET  
Voltage regulator diodes  
1 of 7  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  

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