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BZV55B4V7TRL

更新时间: 2024-11-14 19:41:59
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恩智浦 - NXP /
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1页 68K
描述
4.7V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

BZV55B4V7TRL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.57外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.7 V
最大反向电流:3 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:40电压温度Coeff-Max:
最大电压容差:2%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

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