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BZV55-B3V0112

更新时间: 2024-09-30 03:45:35
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 210K
描述
3V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

BZV55-B3V0112 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.46外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:3 V最大反向电流:10 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:40
电压温度Coeff-Max:最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mA

BZV55-B3V0112 数据手册

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