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BZV49-C36112

更新时间: 2024-11-13 21:00:55
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 180K
描述
36V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

BZV49-C36112 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.35
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:36 V最大反向电流:0.05 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:37.4 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:2 mABase Number Matches:1

BZV49-C36112 数据手册

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