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BZT52H-C4V3,115

更新时间： 2024-11-14 19:53:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 96K
描述
BZT52H series - Single Zener diodes in a SOD123F package SOD-123 2-Pin

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BZT52H-C4V3,115 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOD-123包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.39Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：500 Ω
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.375 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：4.3 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：6.98%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

BZT52H-C4V3,115 数据手册

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BZT52H series  
Single Zener diodes in a SOD123F package  
Rev. 02 — 15 November 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
General-purpose Zener diodes in a SOD123F small and flat lead Surface Mounted Device  
(SMD) plastic package  
1.2 Features  
„ Total power dissipation: ≤ 830 mW  
„ Small plastic package suitable for  
surface mounted design  
„ Wide working voltage range: nominal  
„ Low differential resistance  
2.4 V to 75 V (E24 range)  
1.3 Applications  
„ General regulation functions  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VF  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
IF = 10 mA  
Tamb ≤ 25 °C  
Min  
Typ  
Max  
0.9  
Unit  
V
[1]  
[2]  
[3]  
forward voltage  
-
-
-
-
-
-
Ptot  
total power dissipation  
375  
830  
mW  
mW  
[1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02  
[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard  
footprint.  
[3] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1cm2.  
 
 
 
 
 
 
 
 
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BZT52H-C4V3,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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