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BZT52H-C3V3,135 PDF预览

BZT52H-C3V3,135

更新时间： 2024-11-14 14:29:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 118K
描述
3.3V, 0.375W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-2

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BZT52H-C3V3,135 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.4配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.375 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：3.3 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子形式：FLAT
端子位置：DUAL最大电压容差：6.06%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

BZT52H-C3V3,135 数据手册

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BZT52H series  
Single Zener diodes in a SOD123F package  
Rev. 3 — 7 December 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
General-purpose Zener diodes in a SOD123F small and flat lead Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic package.  
1.2 Features and benefits  
„ Total power dissipation: ≤ 830 mW  
„ Wide working voltage range: nominal  
„ Low differential resistance  
„ AEC-Q101 qualified  
2.4 V to 75 V (E24 range)  
„ Small plastic package suitable for  
surface-mounted design  
1.3 Applications  
„ General regulation functions  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
IF = 10 mA  
Tamb ≤ 25 °C  
Min  
Typ  
Max  
0.9  
Unit  
V
[1]  
[2]  
[3]  
VF  
forward voltage  
total power dissipation  
-
-
-
-
-
-
Ptot  
375  
830  
mW  
mW  
[1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.  
[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard  
footprint.  
[3] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.  
2. Pinning information  
Table 2.  
Pinning  
Pin  
1
Description  
cathode  
Simplified outline  
Graphic symbol  
[1]  
2
anode  
1
2
2
1
006aaa152  
[1] The marking bar indicates the cathode.  
1234567...13

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BZT52H-C3V3,135 替代型号

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