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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> BZT52H-C39
BZT52H-C39 PDF预览

BZT52H-C39

更新时间： 2024-11-14 03:02:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 264K
描述
Single Zener diodes in a SOD123F package

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BZT52H-C39 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：PLASTIC PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.37Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：300 Ω
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.375 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：39 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压容差：5.13%
工作测试电流：2 mABase Number Matches：1

BZT52H-C39 数据手册

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BZT52H series  
Single Zener diodes in a SOD123F package  
Rev. 01 — 22 December 2005  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
General-purpose Zener diodes in a SOD123F small and flat lead Surface Mounted Device  
(SMD) plastic package.  
1.2 Features  
■ Total power dissipation: ≤ 830 mW  
■ Small plastic package suitable for  
surface mounted design  
■ Wide working voltage range: nominal  
■ Low differential resistance  
2.4 V to 75 V (E24 range)  
1.3 Applications  
■ General regulation functions  
1.4 Quick reference data  
Table 1:  
Symbol  
VF  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
0.9  
Unit  
V
[1]  
[2]  
[3]  
forward voltage  
IF = 10 mA  
-
-
-
-
-
-
Ptot  
total power dissipation  
T
amb ≤ 25 °C  
375  
830  
mW  
mW  
[1] Pulse test: tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.  
[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard  
footprint.  
[3] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.  
1234567...10

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BZT52H-C39 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BZT52H-C39,115 NXP

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