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BZT52C3V0 PDF预览

BZT52C3V0

更新时间： 2024-01-08 12:51:50
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SECOS 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
4页 184K
描述
Surface Mount Zener Diode

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BZT52C3V0 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.13配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：95 ΩJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.41 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：3 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
最大电压容差：6.67%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

BZT52C3V0 数据手册

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Surface Mount Zener Diode  
BZT52C Series  
● Electrical Characteristics @ TA=25℃ unless otherwise specified  
500mW, SOD-123  
Maximum  
Reverse  
Current  
Temperature  
Coefficient of  
Zener Voltage  
@ IZT = 5 mA  
Zener Voltage Range  
(Note 2)  
Maximum Zener Impedance  
(Note 3)  
Type  
Marking  
Code  
Number  
(Note 2)  
VZ  
@IZT  
mV / ℃  
Min  
V
2.2  
Nom  
V
Max  
V
2.6  
ZZT@IZT  
Ω
ZZK@IZK  
IR  
µA  
50  
20  
10  
5
VR  
V
mA  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
5
5
5
Ω
mA  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
1.0  
1.0  
Min  
Max  
0
BZT52C2V4  
BZT52C2V7  
BZT52C3V0  
BZT52C3V3  
BZT52C3V6  
BZT52C3V9  
BZT52C4V3  
BZT52C4V7  
BZT52C5V1  
BZT52C5V6  
BZT52C6V2  
BZT52C6V8  
BZT52C7V5  
BZT52C8V2  
BZT52C9V1  
BZT52C10  
BZT52C11  
BZT52C12  
BZT52C13  
BZT52C15  
BZT52C16  
BZT52C18  
BZT52C20  
BZT52C22  
BZT52C24  
BZT52C27  
BZT52C30  
BZT52C33  
BZT52C36  
BZT52C39  
BZT52C43  
BZT52C47  
BZT52C51  
WX  
W1  
W2  
W3  
W4  
W5  
W6  
W7  
W8  
W9  
WA  
WB  
WC  
WD  
WE  
WF  
WG  
WH  
WI  
2.4  
2.7  
3.0  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
100  
100  
95  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
500  
480  
400  
150  
80  
1.0  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-2.7  
-2.0  
0.4  
2.5  
2.9  
1.0  
0
2.8  
3.2  
1.0  
0
3.1  
3.5  
95  
1.0  
0
3.4  
3.8  
90  
5
1.0  
0
3.7  
4.1  
90  
3
1.0  
0
4.0  
4.6  
90  
3
1.0  
0
4.4  
5.0  
80  
3
2.0  
0.2  
1.2  
2.5  
3.7  
4.5  
5.3  
6.2  
7.0  
8.0  
9.0  
10.0  
11.0  
13.0  
14.0  
16.0  
18.0  
20.0  
22.0  
25.3  
29.4  
33.4  
37.4  
41.2  
12.0  
12.0  
12.0  
4.8  
5.4  
60  
2
2.0  
5.2  
6.0  
40  
1
2.0  
5.8  
6.6  
10  
3
4.0  
6.4  
7.2  
15  
2
4.0  
1.2  
7.0  
7.9  
15  
80  
1
5.0  
2.5  
7.7  
8.7  
15  
80  
0.7  
0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
5.0  
3.2  
8.5  
9.6  
15  
100  
150  
150  
150  
170  
200  
200  
225  
225  
250  
250  
300  
300  
325  
350  
350  
700  
750  
750  
6.0  
3.8  
9.4  
10.6  
11.6  
12.7  
14.1  
15.6  
17.1  
19.1  
21.2  
23.3  
25.6  
28.9  
32.0  
35.0  
38.0  
41.0  
46.0  
50.0  
54.0  
20  
7.0  
4.5  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28.0  
31.0  
34.0  
37.0  
40.0  
44.0  
48.0  
11  
20  
8.0  
5.4  
12  
25  
8.0  
6.0  
13  
30  
8.0  
7.0  
WJ  
15  
30  
10.5  
11.2  
12.6  
14.0  
15.4  
16.8  
18.9  
21.0  
23.1  
25.2  
27.3  
32.0  
35.0  
38.0  
9.2  
WK  
WL  
WM  
WN  
WO  
WP  
WQ  
WR  
WS  
WT  
WU  
WV  
WW  
16  
40  
10.4  
12.4  
14.4  
16.4  
18.4  
21.4  
24.4  
27.4  
30.4  
33.4  
10.0  
10.0  
10.0  
18  
45  
20  
55  
22  
55  
24  
70  
27  
80  
30  
80  
33  
80  
36  
90  
39  
130  
100  
100  
100  
43  
47  
51  
Notes:  
1. Valid provided that device terminals are keep at ambient temperature  
2. Test with pulses. period = 5 ms, pulse width = 300 µA  
3. f = 1 K Hz  
● Maximum Ratings @ TA=25℃ unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Power Dissipation (Note 1), Derate above 25 ℃  
Forward Voltage (Note 2) @ IF = 10 mA  
Pd  
VF  
500  
0.9  
mW  
V
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
RθJA  
305  
℃ / W  
℃
Operating and Storage Temperature Range  
TJ , TSTG  
-65 ~ +150  
Notes:  
1. Device mounted on ceramic PCB; 7.6mm×9.4mm×0.87mm with pad areas 25mm2.  
2. Short duration test pulse used in minimize self-heating effect.  
3. f = 1 K Hz  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZT52-C3V0 NEXPERIA

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BZT52C3V0?? MDD

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