是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.89 |
配置: | SINGLE | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 2 Ω | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大功率耗散: | 1.3 W | 标称参考电压: | 6.2 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 最大电压容差: | 6.5% |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BZT03C6V2-TAP | VISHAY |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.5%, 1.3W, | |
BZT03C6V2-TR | VISHAY |
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TVS DIODE 5.1V 9.3V SOD57 | |
BZT03C6V8 | VISHAY |
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Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors | |
BZT03C6V8 | FRONTIER |
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SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS | |
BZT03C6V8 | LGE |
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POWER DISSIPATION: 3.25 W | |
BZT03C6V8 | BL Galaxy Electrical |
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6.8V,1300mW,Zener Diodes | |
BZT03C6V8-TAP | VISHAY |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.9%, 1.3W, | |
BZT03C6V8-TR | VISHAY |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.9%, 1.3W, | |
BZT03C75 | SEMTECH |
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SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS | |
BZT03C75 | LGE |
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POWER DISSIPATION: 3.25 W |