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BZT03-C75

更新时间: 2024-01-29 04:50:28
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恩智浦 - NXP 瞬态抑制器稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
9页 50K
描述
Voltage regulator diodes

BZT03-C75 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.79Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.3 W
标称参考电压:75 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:6.04%工作测试电流:10 mA
Base Number Matches:1

BZT03-C75 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZT03 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 11  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

与BZT03-C75相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BZT03-C75/A52R ETC ZENER DIODE 3.0W 75V

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BZT03-C75T/R NXP DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie

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