BZT03C6V8

更新时间： 2024-01-23 10:43:48

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威世 - VISHAY		瞬态抑制器二极管
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5页	70K
描述
Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors

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BZT03C6V8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	2 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	1.3 W	标称参考电压：	6.8 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	5.9%
Base Number Matches：	1

BZT03C6V8 数据手册

BZT03C...

Vishay Telefunken

Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors

Features

Glass passivated junction

Hermetically sealed package

Clamping time in picoseconds

Applications

94 9539

Medium power voltage regulators and medium

power transient suppression circuits

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Test Conditions

l=10mm, T =25 C

Type Symbol

Value

3.25

1.3

600

Unit

T =25 C

amb

Repetitive peak reverse power dissipation

Non repetitive peak surge power dissipation t =100 s, T =25 C

Junction temperature

ZRM

ZSM

175

Storage temperature range

stg

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

l=10mm, T =constant

on PC board with spacing 25mm

Symbol

Value

100

Unit

K/W

thJA

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =0.5A

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.2

Document Number 85599

Rev. 2, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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