是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | E-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.54 | 最大击穿电压: | 320 V |
最小击穿电压: | 280 V | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | 最大动态阻抗: | 450 Ω |
JESD-30 代码: | E-LALF-W2 | JESD-609代码: | e2 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ELLIPTICAL | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 1.3 W | 认证状态: | Not Qualified |
标称参考电压: | 300 V | 最大重复峰值反向电压: | 240 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin/Silver (Sn/Ag) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 最大电压容差: | 6.6% |
工作测试电流: | 2 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BZT03-C300 | NXP |
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Voltage regulator diodes | |
BZT03C300AMO | PHILIPS |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 300V V(RWM), Unidirectional, | |
BZT03-C300AMO | NXP |
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DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie | |
BZT03C300T/R | PHILIPS |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 300V V(RWM), Unidirectional, | |
BZT03-C300T/R | NXP |
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DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie | |
BZT03C300-TAP | VISHAY |
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暂无描述 | |
BZT03C300-TR | VISHAY |
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TVS DIODE 240V 419V SOD57 | |
BZT03C30AMO | PHILIPS |
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Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 3.25W, | |
BZT03-C30AMO | NXP |
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DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie | |
BZT03C30T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 3.25W, |