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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | E-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.54 | 最大击穿电压： | 320 V |
| 最小击穿电压： | 280 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | 最大动态阻抗： | 450 Ω |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 300 V | 最大重复峰值反向电压： | 240 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 最大电压容差： | 6.6% |
| 工作测试电流： | 2 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZT03C30AMO | PHILIPS |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 3.25W, |
|
| BZT03-C30AMO | NXP |
获取价格 |
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C30T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 3.25W, |
|
| BZT03-C30T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C30-TAP | VISHAY |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 6.7%, 1.3W, |
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| BZT03C30-TR | VISHAY |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 6.7%, 1.3W, |
|
| BZT03C33 | LGE |
获取价格 |
POWER DISSIPATION: 3.25 W |
|
| BZT03C33 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
|
| BZT03C33 | SEMTECH |
获取价格 |
SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |
|
| BZT03C33 | SWST |
获取价格 |
稳压二极管 |
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