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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> BZT03-C68AMO
BZT03-C68AMO PDF预览

BZT03-C68AMO

更新时间： 2024-02-19 19:21:46
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞬态抑制器稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
9页 50K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

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BZT03-C68AMO 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：E-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.8最小击穿电压：64 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：94.4 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：E-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：300 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1.3 W认证状态：Not Qualified
最大反向电流：5 µA表面贴装：NO
技术：ZENER端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

BZT03-C68AMO 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Voltage regulator diodes  
BZT03 series  
REVERSE  
CURRENT at  
STAND-OFF  
VOLTAGE  
REVERSE  
BREAKDOWN  
VOLTAGE  
TEMPERATURE  
COEFFICIENT  
TEST  
CURRENT  
CLAMPING  
VOLTAGE  
TYPE  
NUMBER  
V(BR)R (V)  
at Itest  
at IRSM  
(A)  
note 1  
SZ (%/K) at Itest  
V(CL)R (V)  
MAX.  
IR (µA)  
Itest  
(mA)  
at VR  
(V)  
MIN.  
MIN.  
MAX.  
MAX.  
168  
188  
208  
228  
251  
280  
310  
340  
370  
400  
440  
480  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
249  
276  
305  
336  
380  
419  
459  
498  
537  
603  
655  
707  
1.2  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
150  
160  
180  
200  
220  
240  
270  
300  
330  
360  
390  
430  
BZT03-C180  
BZT03-C200  
BZT03-C220  
BZT03-C240  
BZT03-C270  
BZT03-C300  
BZT03-C330  
BZT03-C360  
BZT03-C390  
BZT03-C430  
BZT03-C470  
BZT03-C510  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.72  
0.65  
0.60  
0.56  
0.50  
0.45  
0.42  
Note  
1. Non-repetitive peak reverse current in accordance with “IEC 60-1, Section 8” (10/1000 µs pulse); see Fig.4.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
Rth j-tp  
PARAMETER  
CONDITIONS  
lead length = 10 mm  
note 1  
VALUE  
46  
UNIT  
K/W  
K/W  
thermal resistance from junction to tie-point  
thermal resistance from junction to ambient  
Rth j-a  
100  
Note  
1. Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5 mm thick; thickness of Cu-layer ≥40 µm, see Fig.6.  
For more information please refer to the “General Part of associated Handbook”.  
1996 Jun 11  
6
1...3456789

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与BZT03-C68AMO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZT03C68T/R PHILIPS

获取价格

 		Zener Diode, 68V V(Z), 5%, 3.25W,
BZT03-C68T/R NXP

获取价格

 		DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
BZT03C68-TAP VISHAY

获取价格

 		Zener Diode, 68V V(Z), 5.9%, 1.3W,
BZT03C68-TR VISHAY

获取价格

 		Zener Diode, 68V V(Z), 5.9%, 1.3W,
BZT03C6V2 LGE

获取价格

 		POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03C6V2 FRONTIER

获取价格

 		SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
BZT03C6V2 VISHAY

获取价格

 		Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03C6V2 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		6.2V,1300mW,Zener Diodes
BZT03C6V2-TAP VISHAY

获取价格

 		Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.5%, 1.3W,
BZT03C6V2-TR VISHAY

获取价格

 		TVS DIODE 5.1V 9.3V SOD57

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