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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> BZT03-C68AMO
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BZT03-C68AMO

更新时间： 2024-02-27 23:06:08
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞬态抑制器稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
9页 50K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

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BZT03-C68AMO 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：E-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.8最小击穿电压：64 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：94.4 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：E-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：300 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1.3 W认证状态：Not Qualified
最大反向电流：5 µA表面贴装：NO
技术：ZENER端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

BZT03-C68AMO 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Voltage regulator diodes  
BZT03 series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Total series  
Tj = 25 °C unless otherwise specified.  
SYMBOL  
PARAMETER  
forward voltage  
CONDITIONS  
IF = 0.5 A; see Fig.5  
MAX.  
UNIT  
VF  
1.2  
V
Per type when used as voltage regulator diodes  
Tj = 25 °C unless otherwise specified.  
DIFFERENTIAL TEMPERATURE  
TEST  
REVERSE CURRENT  
WORKING VOLTAGE  
VZ (V) at IZ  
TYPE  
No.  
RESISTANCE  
COEFFICIENT CURRENT at REVERSE VOLTAGE  
SUFFIX  
rdif (Ω) at IZ  
SZ (%/K) at IZ  
IR (µA)  
(1)  
IZ (mA)  
VR (V)  
MIN.  
NOM.  
MAX.  
TYP.  
MAX.  
MIN.  
MAX.  
MAX.  
C7V5  
C8V2  
C9V1  
C10  
C11  
C12  
C13  
C15  
C16  
C18  
C20  
C22  
C24  
C27  
C30  
C33  
C36  
C39  
C43  
C47  
C51  
C56  
C62  
C68  
C75  
C82  
C91  
7.0  
7.7  
8.5  
9.4  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
11  
7.9  
8.7  
9.6  
10.6  
11.6  
12.7  
14.1  
15.6  
17.1  
19.1  
21.2  
23.3  
25.6  
28.9  
32  
1
1
2
2
0.00  
0.03  
0.03  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
0.09  
0.07  
0.08  
0.08  
0.09  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.12  
0.12  
0.12  
0.12  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
100  
100  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
25  
25  
25  
25  
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25  
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10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
5
750  
600  
20  
10  
4
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
11  
2
4
2
4
4
7
12  
13  
15  
16  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
43  
47  
51  
56  
62  
68  
75  
82  
91  
4
7
3
5
10  
10  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
40  
40  
45  
45  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
200  
2
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6
1
12  
13  
15  
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56  
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68  
6
1
6
1
6
1
7
1
7
1
8
1
31  
35  
8
1
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38  
21  
21  
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24  
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25  
25  
25  
30  
30  
60  
1
37  
41  
1
40  
46  
1
44  
50  
1
48  
54  
1
52  
60  
1
58  
66  
1
64  
72  
1
70  
79  
1
77  
87  
1
85  
96  
1
1996 Jun 11  
3
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与BZT03-C68AMO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZT03C68T/R PHILIPS

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 		Zener Diode, 68V V(Z), 5%, 3.25W,
BZT03-C68T/R NXP

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 		DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
BZT03C68-TAP VISHAY

获取价格

 		Zener Diode, 68V V(Z), 5.9%, 1.3W,
BZT03C68-TR VISHAY

获取价格

 		Zener Diode, 68V V(Z), 5.9%, 1.3W,
BZT03C6V2 LGE

获取价格

 		POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03C6V2 FRONTIER

获取价格

 		SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
BZT03C6V2 VISHAY

获取价格

 		Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03C6V2 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		6.2V,1300mW,Zener Diodes
BZT03C6V2-TAP VISHAY

获取价格

 		Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.5%, 1.3W,
BZT03C6V2-TR VISHAY

获取价格

 		TVS DIODE 5.1V 9.3V SOD57

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