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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | E-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.8 | 最小击穿电压： | 480 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 707 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 300 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 5 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZT03-C510AMO | NXP |
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DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03-C510T/R | NXP |
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DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C51AMO | PHILIPS |
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Zener Diode, 51V V(Z), 5%, 3.25W, |
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| BZT03-C51AMO | NXP |
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暂无描述 |
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| BZT03C51T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Zener Diode, 51V V(Z), 5%, 3.25W, |
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| BZT03-C51T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie |
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| BZT03C51-TAP | VISHAY |
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Zener Diode, 51V V(Z), 5.9%, 1.3W, |
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| BZT03C51-TR | VISHAY |
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Zener Diode, 51V V(Z), 5.9%, 1.3W, |
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| BZT03C56 | SEMTECH |
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SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |
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| BZT03C56 | LGE |
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POWER DISSIPATION: 3.25 W |
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