是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | E-LALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.87 |
Is Samacsys: | N | 最小击穿电压: | 52 V |
外壳连接: | ISOLATED | 最大钳位电压: | 78.6 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | 最大动态阻抗: | 60 Ω |
JESD-30 代码: | E-LALF-W2 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 300 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 1.3 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 56 V |
最大反向电流: | 5 µA | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 7.1% |
工作测试电流: | 10 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BZT03-C56/A52R | ETC |
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ZENER DIODE 3.0W 56V | |
BZT03C56AMO | PHILIPS |
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Zener Diode, 56V V(Z), 5%, 3.25W, | |
BZT03-C56AMO | NXP |
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DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie | |
BZT03C56T/R | PHILIPS |
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Zener Diode, 56V V(Z), 5%, 3.25W, | |
BZT03-C56T/R | NXP |
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DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie | |
BZT03C56-TAP | VISHAY |
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Zener Diode, 56V V(Z), 7.1%, 1.3W, | |
BZT03C56-TR | VISHAY |
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TVS DIODE 47V 78.6V SOD57 | |
BZT03C62 | SEMTECH |
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SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS | |
BZT03C62 | LGE |
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POWER DISSIPATION: 3.25 W | |
BZT03C62 | VISHAY |
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Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |