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BZT03-C68AMO

更新时间: 2024-01-05 22:35:50
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞬态抑制器稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
9页 50K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

BZT03-C68AMO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:E-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8最小击穿电压:64 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:94.4 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:E-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:300 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.3 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:5 µA表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BZT03-C68AMO 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZT03 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 11  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

与BZT03-C68AMO相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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