5秒后页面跳转
BZT03-C51T/R PDF预览

BZT03-C51T/R

更新时间: 2024-02-01 17:09:08
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞬态抑制器稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
9页 50K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

BZT03-C51T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:E-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最小击穿电压:48 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:70.8 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:E-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:300 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.3 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BZT03-C51T/R 数据手册

 浏览型号BZT03-C51T/R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BZT03-C51T/R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BZT03-C51T/R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BZT03-C51T/R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BZT03-C51T/R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BZT03-C51T/R的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZT03 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 11  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

与BZT03-C51T/R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZT03C51-TAP VISHAY

获取价格

Zener Diode, 51V V(Z), 5.9%, 1.3W,
BZT03C51-TR VISHAY

获取价格

Zener Diode, 51V V(Z), 5.9%, 1.3W,
BZT03C56 SEMTECH

获取价格

SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
BZT03C56 LGE

获取价格

POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03C56 VISHAY

获取价格

Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03C56 SWST

获取价格

稳压二极管
BZT03C56 BL Galaxy Electrical

获取价格

56V,1300mW,Zener Diodes
BZT03-C56 NXP

获取价格

Voltage regulator diodes
BZT03-C56/A52R ETC

获取价格

ZENER DIODE 3.0W 56V
BZT03C56AMO PHILIPS

获取价格

Zener Diode, 56V V(Z), 5%, 3.25W,