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BZG03C33TR3

更新时间： 2024-11-06 14:32:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 122K
描述
Zener Diode, 33V V(Z), 6.06%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-214, PLASTIC, DO-214, 2 PIN

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BZG03C33TR3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.8其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-214
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1.25 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：33 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：6.06%
Base Number Matches：1

BZG03C33TR3 数据手册

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BZG03C-Series  
Vishay Semiconductors  
Zener Diodes  
Features  
• Glass passivated junction  
• High reliability  
e3  
• Voltage range 10 V to 270 V  
• Fits onto 5 mm SMD footpads  
• Wave and reflow solderable  
• Lead (Pb)-free component  
15811  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Applications  
Mechanical Data  
Voltage stabilization  
Case: DO-214AC  
Weight: approx. 77 mg  
Packaging Codes/Options:  
TR / 1.5 k 7 " reel  
TR3 / 6 k 13 " reel 6 k/box  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Power dissipation  
Test condition  
Symbol  
Pdiss  
Value  
3
Unit  
W
RthJA < 25 K/W, Tamb = 100 °C  
R
thJA < 100 K/W, Tamb = 50 °C  
Pdiss  
1.25  
600  
W
W
Non repetitive peak surge power tp = 100 Ps sq.pulse, Tj = 25 °C  
PZSM  
dissipation  
prior to surge  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
- 65 to + 150  
Thermal Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
RthJL  
Value  
25  
Unit  
Junction lead  
K/W  
K/W  
Junction ambient  
mounted on epoxy-glass hard  
tissue, Fig. 1a  
RthJA  
RthJA  
RthJA  
150  
125  
100  
mounted on epoxy-glass hard  
tissue, Fig. 1b  
K/W  
K/W  
mounted on Al-oxid-ceramic  
(Al2O3), Fig. 1b  
Electrical Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
IF = 0.5 A  
Symbol  
VF  
Min  
Typ.  
Max  
1.2  
Unit  
V
Forward voltage  
Document Number 85593  
Rev. 1.7, 15-Sep-05  
www.vishay.com  
1
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BZG03C33TR3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BZG03C33-TR VISHAY

完全替代

 Zener Diode, 33V V(Z), 6.1%, 3W,

与BZG03C33TR3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZG03C33-TR3 VISHAY

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 		Zener Diode, 33V V(Z), 6.1%, 3W,
BZG03C33-TR3/6 VISHAY

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 		DIODE 33 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT
BZG03C36 LGE

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BZG03C36 VISHAY

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