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Datasheet > BZD27C9V1P-E3-18
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BZD27C9V1P-E3-18

更新时间： 2024-11-13 20:45:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 128K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN

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BZD27C9V1P-E3-18 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-219AB包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：5.17
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-219AB
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.8 W参考标准：AEC-Q101
标称参考电压：9.1 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压容差：6.08%
工作测试电流：50 mABase Number Matches：1

BZD27C9V1P-E3-18 数据手册

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BZD27C Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Zener Diodes with Surge Current Specification  
FEATURES  
Available  
• Sillicon planar Zener diodes  
• Low profile surface-mount package  
• Zener and surge current specification  
• Low leakage current  
• Excellent stability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
17249  
• Meets JESD 201 class 2 whisker test  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
• ESD capability according to AEC-Q101:  
human body model: > 8 kV  
machine model: > 800 V  
PARAMETER  
VALUE  
UNIT  
VZ range nom.  
Test current IZT  
VBR  
3.6 to 200  
5 to 100  
7 to 188  
6.2 to 160  
150  
V
mA  
V
• Wave and reflow solderable  
• AEC-Q101 qualified available  
VWM  
V
• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, and commercial grade  
PPPM  
W
°C  
•
Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, and AEC-Q101 qualified  
TJ max.  
175  
VZ specification  
Circuit configuration  
Polarity  
Pulse current  
Single  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Uni-directional  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
TAPED UNITS PER REEL  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
BZD27C3V6P-E3-08 to BZD27C200P-E3-08  
BZD27C3V6P-HE3-08 to BZD27C200P-HE3-08  
BZD27C3V6P-E3-18 to BZD27C200P-E3-18  
BZD27C3V6P-HE3-18 to BZD27C200P-HE3-18  
3000 per 7" reel (8 mm tape)  
30 000/box  
BZD27C Series  
10 000 per 13" reel (8 mm tape)  
50 000/box  
PACKAGE  
MOLDING COMPOUND MOISTURESENSITIVITY WHISKER TEST  
PACKAGE NAME WEIGHT  
SOLDERING CONDITIONS  
FLAMMABILITY RATING  
LEVEL  
ACC. JESD 201  
MSL level 1  
(according J-STD-020)  
SMF (DO-219AB)  
15 mg  
UL 94 V-0  
class 2  
Peak temperature max. 260 °C  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
TL = 105 °C  
TA = 30 °C (1)  
Ptot  
Ptot  
2300  
800  
300  
150  
30  
mW  
mW  
W
Power dissipation  
100 μs square pulse  
10/1000 μs waveform  
PZSM  
PRSM  
RthJL  
Non repetitive peak surge power dissipation (2)  
Junction to lead  
W
K/W  
Mounted on epoxy-glass PCB with  
3 mm x 3 mm Cu pads  
(40 μm thick)  
Junction to ambient air  
RthJA  
180  
K/W  
Junction temperature  
Tj  
175  
°C  
°C  
°C  
Storage temperature range  
Operating temperature range  
Tstg  
Top  
-65 to +175  
-65 to +175  
Notes  
(1)  
Mounted on epoxy-glass PCB with 3 mm x 3 mm Cu pads (40 μm thick)  
TJ = 25 °C prior to surge  
(2)  
Rev. 1.5, 10-Oct-17  
Document Number: 85153  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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BZD27C9V1P-E3-18 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BZD27C9V1P-E3-08 VISHAY

完全替代

 Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN

与BZD27C9V1P-E3-18相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZD27C9V1P-G1 VISHAY

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 		DIODE 9.1 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, PLASTIC, SM
BZD27C9V1P-G2 VISHAY

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 		DIODE 9.1 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, PLASTIC, SM
BZD27C9V1PGS08 VISHAY

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 		DIODE 9.05 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, ROHS COMPL
BZD27C9V1P-GS08 VISHAY

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 		Zener Diodes with Surge Current Specification
BZD27C9V1PGS18 VISHAY

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 		DIODE 9.05 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, ROHS COMPL
BZD27C9V1P-GS18 VISHAY

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 		Zener Diodes with Surge Current Specification
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 		Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN
BZD27C9V1P-M VISHAY

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 		Zener Diodes with Surge Current Specification
BZD27C9V1P-M08 VISHAY

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 		DIODE 9.05 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FR

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