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BZD27C9V1P-G1

更新时间： 2024-11-13 21:18:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 171K
描述
DIODE 9.1 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, PLASTIC, SMF, 2 PIN, Voltage Regulator Diode

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BZD27C9V1P-G1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-219AB
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.66
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-219ABJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.8 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：9.1 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40最大电压容差：6.08%
工作测试电流：50 mABase Number Matches：1

BZD27C9V1P-G1 数据手册

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BZD27C3V6P to BZD27C200P  
VISHAY  
Vishay Semiconductors  
Voltage Regulator Diodes  
Features  
• Sillicon Planar Zener Diodes  
• Low profile surface-mount package  
• Zener and surge current specification  
• Low leakage current  
• Excellent stability  
• High temperature soldering:  
260 °C/10 sec. at terminals  
Mechanical Data  
Case: JEDEC DO-219AB (SMF®) Plastic Case  
Packaging codes/options:  
G1/ 10 K per 13 " reel, (8 mm tape), 50 K/box  
G2/ 3 K per 7 " reel, (8 mm tape), 30 K/box  
Weight: approx. 10 mg  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
amb  
Test condition  
Symbol  
Value  
2.3  
Unit  
W
Power dissipation  
T = 80 °C  
P
L
tot  
tot  
1)  
T = 25 °C  
P
W
W
A
0.8  
2)  
Non-repetitive peak pulse power  
dissipation  
P
P
300  
ZSM  
100 µs square pulse  
10/1000 µs waveform (BZD27-  
C7V5P to BZD27-C100P)  
150  
W
W
RSM  
2)  
10/1000 µs waveform (BZD27-  
C110P to BZD27-C200P)  
P
100  
RSM  
2)  
1)  
Mounted on epoxy-glass PCB with 3 x 3 mm Cu pads (≥ 40 µm thick)  
2)  
T = 25 °C prior to surge  
J
Thermal Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
180  
Unit  
K/W  
1)  
R
R
Thermal resistance junction to ambient air  
Thermal resistance junction to lead  
θ JA  
30  
150  
K/W  
°C  
θ JL  
Maximum junction temperature  
Storage temperature range  
T
j
T
- 55 to + 150  
°C  
S
1)  
Mounted on epoxy-glass PCB with 3 x 3 mm Cu pads (≥ 40 µm thick)  
Electrical Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Min  
Typ.  
Max  
1.2  
Unit  
V
Forward voltage  
I = 0.2 A  
V
F
F
Document Number 85810  
Rev. 4, 16-Sep-03  
www.vishay.com  
1
123456

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与BZD27C9V1P-G1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZD27C9V1P-G2 VISHAY

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 		DIODE 9.1 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, PLASTIC, SM
BZD27C9V1PGS08 VISHAY

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 		DIODE 9.05 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, ROHS COMPL
BZD27C9V1P-GS08 VISHAY

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 		Zener Diodes with Surge Current Specification
BZD27C9V1PGS18 VISHAY

获取价格

 		DIODE 9.05 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, ROHS COMPL
BZD27C9V1P-GS18 VISHAY

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 		Zener Diodes with Surge Current Specification
BZD27C9V1P-HE3-08 VISHAY

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 		Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN
BZD27C9V1P-HE3-18 VISHAY

获取价格

 		Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN
BZD27C9V1P-M VISHAY

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 		Zener Diodes with Surge Current Specification
BZD27C9V1P-M08 VISHAY

获取价格

 		DIODE 9.05 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FR
BZD27C9V1P-M-08 VISHAY

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 		DIODE 9.1 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FRE

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