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BZD23-C510

更新时间: 2024-11-11 22:48:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞬态抑制器稳压二极管
页数 文件大小 规格书
9页 44K
描述
Voltage regulator diodes

BZD23-C510 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.88
Is Samacsys:N最小击穿电压:480 V
击穿电压标称值:480 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:707 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:150 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:2.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:510 V
最大反向电流:5 µA子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BZD23-C510 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ok, halfpage  
BZD23 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 10  
Product specification  
Supersedes data of October 1991  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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暂无描述
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