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BZD23-C51T/R

更新时间: 2024-09-24 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
9页 44K
描述
DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

BZD23-C51T/R 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最小击穿电压:48 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:70.8 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大动态阻抗:60 ΩJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:150 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:51 V最大反向电流:5 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:5%
工作测试电流:10 mABase Number Matches:1

BZD23-C51T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ok, halfpage  
BZD23 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 10  
Product specification  
Supersedes data of October 1991  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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