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BZD23-C150/A52R

更新时间: 2024-09-23 19:50:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管电视
页数 文件大小 规格书
9页 47K
描述
DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

BZD23-C150/A52R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8最小击穿电压:138 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:150 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2.5 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BZD23-C150/A52R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ok, halfpage  
BZD23 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 10  
Product specification  
Supersedes data of October 1991  

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