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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.3 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC50008-015 | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYW55-TAP | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND |
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| BYW55-TR | VISHAY |
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暂无描述 |
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| BYW56 | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION GENERAL AVALANCHE REC |
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| BYW56 | NXP |
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Controlled avalanche rectifiers |
|
| BYW56 | VISHAY |
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Silicon Mesa Rectifiers |
|
| BYW56 | EIC |
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AVALANCHE RECTIFIER DIODES |
|
| BYW56/A52R | ETC |
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DIODE CONTROLLED AVALANCHE |
|
| BYW56AMO | NXP |
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DIODE 0.8 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYW56GP | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:600 TO 1000V CURRENT: 2.0A |
|
| BYW56P | DIOTEC |
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Standard Controlled Avalanche Rectifiers |
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