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BYW56AMO

更新时间: 2024-01-14 03:29:25
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
7页 50K
描述
DIODE 0.8 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BYW56AMO 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:1.04应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:E-LALF-W2
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:4 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

BYW56AMO 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BYW54 to BYW56  
Controlled avalanche rectifiers  
1996 Oct 03  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Jun 11  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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