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BYW74-TR

更新时间： 2024-02-19 05:19:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 108K
描述
RECTIFIER DIODE

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BYW74-TR 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69二极管类型：RECTIFIER DIODE
Base Number Matches：1

BYW74-TR 数据手册

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BYW72, BYW73, BYW74, BYW75, BYW76  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Fast Avalanche Sinterglass Diode  
FEATURES  
• Glass passivated junction  
• Hermetically sealed package  
• Low reverse current  
• Soft recovery characteristics  
• Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
949588  
MECHANICAL DATA  
Case: SOD-64  
APPLICATIONS  
• Fast rectification and switching diode for TV-line output  
circuits and switch mode power supply  
Terminals: plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
method 2026  
Polarity: color band denotes cathode end  
Mounting position: any  
Weight: approx. 858 mg  
ORDERING INFORMATION (Example)  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
TAPED UNITS  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
BYW72 or BYW73  
BYW73-TR  
2500 per 10" tape and reel  
2500 per ammopack  
12 500  
12 500  
12 500  
12 500  
BYW72 or BYW73  
BYW73-TAP  
BYW76-TR  
BYW74 or BYW75 or BYW76  
BYW74 or BYW75 or BYW76  
2500 per 10" tape and reel  
2500 per ammopack  
BYW76-TAP  
PARTS TABLE  
PART  
TYPE DIFFERENTIATION  
PACKAGE  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
BYW72  
V
V
V
V
V
R = 200 V; IF(AV) = 3 A  
BYW73  
R = 300 V; IF(AV) = 3 A  
R = 400 V; IF(AV) = 3 A  
R = 500 V; IF(AV) = 3 A  
R = 600 V; IF(AV) = 3 A  
BYW74  
BYW75  
BYW76  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
See electrical characteristics  
tp = 10 ms, half sine wave  
PART  
BYW72  
BYW73  
BYW74  
BYW75  
BYW76  
SYMBOL  
VALUE  
200  
300  
400  
500  
600  
100  
15  
UNIT  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
IFSM  
V
V
V
V
V
A
A
A
Reverse voltage = repetitive peak  
reverse voltage  
Peak forward surge current  
Repetitive peak forward current  
Average forward current  
IFRM  
IF(AV)  
3
Non repetitive reverse avalanche  
energy  
I
(BR)R = 0.4 A  
ER  
10  
mJ  
°C  
Junction and storage temperature  
range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 175  
Rev. 1.8, 11-Sep-12  
Document Number: 86050  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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