是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | E-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
Factory Lead Time: | 12 weeks | 风险等级: | 1.06 |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | E-LALF-W2 | JESD-609代码: | e2 |
最大非重复峰值正向电流: | 50 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 2 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ELLIPTICAL | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大重复峰值反向电压: | 800 V |
最大反向恢复时间: | 4 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYW55-TR | VISHAY |
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暂无描述 | |
BYW56 | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION GENERAL AVALANCHE REC | |
BYW56 | NXP |
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Controlled avalanche rectifiers | |
BYW56 | VISHAY |
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Silicon Mesa Rectifiers | |
BYW56 | EIC |
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AVALANCHE RECTIFIER DIODES | |
BYW56/A52R | ETC |
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DIODE CONTROLLED AVALANCHE | |
BYW56AMO | NXP |
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DIODE 0.8 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
BYW56GP | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:600 TO 1000V CURRENT: 2.0A | |
BYW56P | DIOTEC |
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Standard Controlled Avalanche Rectifiers | |
BYW56T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), |