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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | E-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| Factory Lead Time： | 12 weeks | 风险等级： | 1.06 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 | JESD-609代码： | e2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 50 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 最大反向恢复时间： | 4 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYW55-TR | VISHAY |
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暂无描述 |
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| BYW56 | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION GENERAL AVALANCHE REC |
|
| BYW56 | NXP |
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Controlled avalanche rectifiers |
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| BYW56 | VISHAY |
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Silicon Mesa Rectifiers |
|
| BYW56 | EIC |
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AVALANCHE RECTIFIER DIODES |
|
| BYW56/A52R | ETC |
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DIODE CONTROLLED AVALANCHE |
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| BYW56AMO | NXP |
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DIODE 0.8 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYW56GP | GULFSEMI |
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SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:600 TO 1000V CURRENT: 2.0A |
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| BYW56P | DIOTEC |
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Standard Controlled Avalanche Rectifiers |
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| BYW56T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), |
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