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BYW54T/R

更新时间: 2024-02-12 10:19:14
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恩智浦 - NXP 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
7页 50K
描述
SILICON, RECTIFIER DIODE

BYW54T/R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:E-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:0.94
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:E-LALF-W2JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:50 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:4 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

BYW54T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BYW54 to BYW56  
Controlled avalanche rectifiers  
1996 Oct 03  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Jun 11  

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