BYW55

更新时间： 2024-11-04 22:08:47

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威世 - VISHAY		整流二极管局域网
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描述
Silicon Mesa Rectifiers

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BYW55 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DO-204	包装说明：	E-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AP
JESD-30 代码：	E-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	最大反向恢复时间：	3 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BYW55 数据手册

BYW52...BYW56

Vishay Telefunken

Silicon Mesa Rectifiers

Features

Controlled avalanche characteristics

Glass passivated junction

Hermetically sealed package

Low reverse current

High surge current loading

Electrically equivalent diodes:

BYW52 – 1N5059

BYW54 – 1N5061

BYW53 – 1N5060

BYW55 – 1N5062

94 9539

Applications

Rectifier, general purpose

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Reverse voltage

=Repetitive peak reverse voltage

Test Conditions

Type

BYW52 V =V

BYW53 V =V

BYW54 V =V

BYW55 V =V

BYW56 V =V

Symbol

Value

200

400

600

800

1000

Unit

RRM

Peak forward surge current

Repetitive peak forward current

Average forward current

t =10ms, half sinewave

FSM

FRM

ϕ=180

FAV

Pulse avalanche peak power

t =20 s half sinus wave,

1000

T =175 C

Pulse energy in avalanche mode, I

non repetitive

=1A, T =175 C

(BR)R

(inductive load switch off)

i * t–rating

i *t

A *s

Junction and storage

temperature range

T =T

–55...+175

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

Symbol

Value

100

Unit

K/W

l=10mm, T =constant

thJA

on PC board with spacing 25mm

Document Number 86049

Rev. 2, 24-Jun-98

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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