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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BYV28-200-TAP
BYV28-200-TAP PDF预览

BYV28-200-TAP

更新时间： 2024-11-23 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 369K
描述
DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Rectifier Diode

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BYV28-200-TAP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：E-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.27Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：848175
Samacsys Pin Count：2Samacsys Part Category：Diode
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：SOD-64_1
Samacsys Released Date：2018-01-24 12:20:38Is Samacsys：N
其他特性：METALLURGICALLY BONDED应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.89 VJESD-30 代码：E-LALF-W2
JESD-609代码：e2最大非重复峰值正向电流：90 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3.5 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYV28-200-TAP 数据手册

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BYV28-50, BYV28-100, BYV28-150, BYV28-200  
Vishay Semiconductors  
Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode  
FEATURES  
• Controlled avalanche characteristic  
• Low forward voltage  
• Ultra fast recovery time  
• Glass passivated junction  
• Hermetically sealed package  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
949588  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
MECHANICAL DATA  
APPLICATIONS  
Case: SOD-64  
• Very fast rectification e.g. for switch mode power supply  
Terminals: plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
method 2026  
Polarity: color band denotes cathode end  
Mounting position: any  
Weight: approx. 858 mg  
PARTS TABLE  
PART  
TYPE DIFFERENTIATION  
R = 50 V; IFAV = 3.5 A  
PACKAGE  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
BYV28-50  
BYV28-100  
BYV28-150  
BYV28-200  
V
VR = 100 V; IFAV = 3.5 A  
VR = 150 V; IFAV = 3.5 A  
VR = 200 V; IFAV = 3.5 A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
PART  
SYMBOL  
VALUE  
55  
UNIT  
V
BYV28-50  
BYV28-100  
BYV28-150  
BYV28-200  
BYV28-50  
BYV28-100  
BYV28-150  
BYV28-200  
VRSM  
VRSM  
110  
165  
220  
50  
V
Peak reverse voltage, non repetitive  
See electrical characteristics  
VRSM  
V
VRSM  
V
V
V
R = VRRM  
R = VRRM  
V
100  
150  
200  
90  
V
Reverse voltage = repetitive peak  
reverse voltage  
See electrical characteristics  
tp = 10 ms, half sine wave  
VR = VRRM  
R = VRRM  
IFSM  
V
V
V
Peak forward surge current  
Repetitive peak forward current  
Average forward current  
A
IFRM  
25  
A
IFAV  
3.5  
A
Pulse energy in avalanche mode, non  
repetitive (inductive load switch off)  
I(BR)R = 1 A, Tj = 175 °C  
ER  
20  
mJ  
°C  
Junction and storage temperature  
range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 175  
www.vishay.com  
72  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
Document Number: 86044  
Rev. 1.7, 25-Aug-10  
1234

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BYV28-200-TAP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BYV28-200 VISHAY

功能相似

 GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER
BYV28-200 NXP

功能相似

 Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers

与BYV28-200-TAP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV28-2GE GULFSEMI

获取价格

 		GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST EFFICIENT SILICON RECTIFIER VOLTAGE:600V CURRENT:3.5A
BYV28-300 NXP

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 		Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
BYV28-300 LGE

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 		Super Fast Rectifiers
BYV28-300 SUNMATE

获取价格

 		Rectifier device High efficiency recovery rectifier (Trr 50... 75ns)
BYV28-300/20112 NXP

获取价格

 		DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV28-300/20113 NXP

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 		DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
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