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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | E-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.82 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.83 V |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 90 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 1.9 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 300 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV28-300/20112 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/20113 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/20133 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/21112 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/21113 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/21133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/22112 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/22113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/22133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-300/30112 | NXP |
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DIODE 3.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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